| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IRLD024PBF |
| EBEE部品番号 | E8141564 |
| パッケージ | HVMDIP-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 60V 1.8A 1.3W 0.1Ω@5.0V,1.5A 1V@250uA 1 N-channel HVMDIP-4 MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1995 | $ 1.1995 |
| 10+ | $1.0063 | $ 10.0630 |
| 30+ | $0.8992 | $ 26.9760 |
| 100+ | $0.7785 | $ 77.8500 |
| 500+ | $0.7257 | $ 362.8500 |
| 1000+ | $0.7001 | $ 700.1000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VISHAY IRLD024PBF | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 140mΩ@4V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 53pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.3W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 870pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 360pF | |
| Gate Charge(Qg) | 18nC@5V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1995 | $ 1.1995 |
| 10+ | $1.0063 | $ 10.0630 |
| 30+ | $0.8992 | $ 26.9760 |
| 100+ | $0.7785 | $ 77.8500 |
| 500+ | $0.7257 | $ 362.8500 |
| 1000+ | $0.7001 | $ 700.1000 |
