| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IRLD014PBF |
| EBEE部品番号 | E8144931 |
| パッケージ | HVMDIP-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 60V 1.7A 1.3W 0.2Ω@5V,1A 1V@250uA 1 N-channel HVMDIP-4 MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4970 | $ 0.4970 |
| 10+ | $0.4876 | $ 4.8760 |
| 30+ | $0.4814 | $ 14.4420 |
| 100+ | $0.4752 | $ 47.5200 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VISHAY IRLD014PBF | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 280mΩ@4V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 42pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.3W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 400pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.4nC@5V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4970 | $ 0.4970 |
| 10+ | $0.4876 | $ 4.8760 |
| 30+ | $0.4814 | $ 14.4420 |
| 100+ | $0.4752 | $ 47.5200 |
