RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.1673 | $ 10.1673 |
| 200+ | $4.0578 | $ 811.5600 |
| 500+ | $3.9228 | $ 1961.4000 |
| 1000+ | $3.8551 | $ 3855.1000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 600V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 11A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 600mΩ@10V,6.6A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 190W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 2.3nF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 84nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.1673 | $ 10.1673 |
| 200+ | $4.0578 | $ 811.5600 |
| 500+ | $3.9228 | $ 1961.4000 |
| 1000+ | $3.8551 | $ 3855.1000 |
