| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IRFBC40ASPBF |
| EBEE部品番号 | E83009868 |
| パッケージ | D2PAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 600V 6.2A 1.2Ω@10V,3.7A 125W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2986 | $ 2.2986 |
| 10+ | $1.9279 | $ 19.2790 |
| 50+ | $1.6960 | $ 84.8000 |
| 100+ | $1.4593 | $ 145.9300 |
| 500+ | $1.3520 | $ 676.0000 |
| 1000+ | $1.3047 | $ 1304.7000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VISHAY IRFBC40ASPBF | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 1.2Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.036nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 136pF | |
| Gate Charge(Qg) | 42nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2986 | $ 2.2986 |
| 10+ | $1.9279 | $ 19.2790 |
| 50+ | $1.6960 | $ 84.8000 |
| 100+ | $1.4593 | $ 145.9300 |
| 500+ | $1.3520 | $ 676.0000 |
| 1000+ | $1.3047 | $ 1304.7000 |
