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Vishay Intertech IRF640STRLPBF
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IRF640STRLPBF |
| EBEE部品番号 | E8506640 |
| パッケージ | TO-263(D2PAK) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 200V 18A 180mΩ@10V,11A 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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23 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6624 | $ 1.6624 |
| 10+ | $1.3909 | $ 13.9090 |
| 30+ | $1.2416 | $ 37.2480 |
| 100+ | $0.9828 | $ 98.2800 |
| 500+ | $0.9082 | $ 454.1000 |
| 800+ | $0.8749 | $ 699.9200 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VISHAY IRF640STRLPBF | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 180mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 130pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.1W;130W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 430pF | |
| Gate Charge(Qg) | 70nC@10V |
ショッピングガイド
展開
23 Stock for Shipping Fast
23 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6624 | $ 1.6624 |
| 10+ | $1.3909 | $ 13.9090 |
| 30+ | $1.2416 | $ 37.2480 |
| 100+ | $0.9828 | $ 98.2800 |
| 500+ | $0.9082 | $ 454.1000 |
| 800+ | $0.8749 | $ 699.9200 |
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