15% off
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | WPM2016-VB |
| EBEE部品番号 | E822389138 |
| パッケージ | SOT-23(TO-236) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 20V 6A 28mΩ@4.5V,5A 2.1W 1V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0578 | $ 0.5780 |
| 100+ | $0.0462 | $ 4.6200 |
| 300+ | $0.0403 | $ 12.0900 |
| 3000+ | $0.0360 | $ 108.0000 |
| 6000+ | $0.0325 | $ 195.0000 |
| 9000+ | $0.0307 | $ 276.3000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec WPM2016-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 22mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 55pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.25W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 865pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 105pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0578 | $ 0.5780 |
| 100+ | $0.0462 | $ 4.6200 |
| 300+ | $0.0403 | $ 12.0900 |
| 3000+ | $0.0360 | $ 108.0000 |
| 6000+ | $0.0325 | $ 195.0000 |
| 9000+ | $0.0307 | $ 276.3000 |
