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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | VBMB2157N |
| EBEE部品番号 | E87541183 |
| パッケージ | TO-220F |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 150V 30A 35W 1V@250uA 1 Piece P-Channel TO-220F MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6249 | $ 1.6249 |
| 10+ | $1.3860 | $ 13.8600 |
| 50+ | $1.2362 | $ 61.8100 |
| 100+ | $1.0838 | $ 108.3800 |
| 500+ | $1.0135 | $ 506.7500 |
| 1000+ | $0.9839 | $ 983.9000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec VBMB2157N | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 65mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 208pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 68W | |
| Drain to Source Voltage | 150V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 301pF | |
| Gate Charge(Qg) | 96nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6249 | $ 1.6249 |
| 10+ | $1.3860 | $ 13.8600 |
| 50+ | $1.2362 | $ 61.8100 |
| 100+ | $1.0838 | $ 108.3800 |
| 500+ | $1.0135 | $ 506.7500 |
| 1000+ | $0.9839 | $ 983.9000 |
