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VBsemi Elec VBMB1302
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | VBMB1302 |
| EBEE部品番号 | E87429159 |
| パッケージ | TO-220F |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 30V 28.8A 3.75W 1V@250uA 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0478 | $ 1.0478 |
| 10+ | $0.8657 | $ 8.6570 |
| 50+ | $0.6866 | $ 34.3300 |
| 100+ | $0.5963 | $ 59.6300 |
| 500+ | $0.5432 | $ 271.6000 |
| 1000+ | $0.5146 | $ 514.6000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec VBMB1302 | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | - | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 270pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.75W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 28.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.7nF | |
| Gate Charge(Qg) | 81.5nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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| 10+ | $0.8657 | $ 8.6570 |
| 50+ | $0.6866 | $ 34.3300 |
| 100+ | $0.5963 | $ 59.6300 |
| 500+ | $0.5432 | $ 271.6000 |
| 1000+ | $0.5146 | $ 514.6000 |
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