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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | VBMB1204N |
| EBEE部品番号 | E87569075 |
| パッケージ | TO-220F |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 200V 38mΩ@10V 2V 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0549 | $ 2.0549 |
| 10+ | $1.7531 | $ 17.5310 |
| 50+ | $1.5633 | $ 78.1650 |
| 100+ | $1.3694 | $ 136.9400 |
| 500+ | $1.2821 | $ 641.0500 |
| 1000+ | $1.2439 | $ 1243.9000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec VBMB1204N | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 38mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 135pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 55W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 300pF | |
| Gate Charge(Qg) | 85nC@15V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0549 | $ 2.0549 |
| 10+ | $1.7531 | $ 17.5310 |
| 50+ | $1.5633 | $ 78.1650 |
| 100+ | $1.3694 | $ 136.9400 |
| 500+ | $1.2821 | $ 641.0500 |
| 1000+ | $1.2439 | $ 1243.9000 |
