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VBsemi Elec VBMB1203M
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | VBMB1203M |
| EBEE部品番号 | E8481029 |
| パッケージ | TO-220F |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 200V 6.5A 37W 0.265Ω@10V,4.3A 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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6 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6541 | $ 0.6541 |
| 10+ | $0.5323 | $ 5.3230 |
| 50+ | $0.4322 | $ 21.6100 |
| 100+ | $0.3720 | $ 37.2000 |
| 500+ | $0.3347 | $ 167.3500 |
| 1000+ | $0.3168 | $ 316.8000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec VBMB1203M | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 265mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 110pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 37W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 560pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 260pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16nC@10V |
ショッピングガイド
展開
6 Stock for Shipping Fast
6 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6541 | $ 0.6541 |
| 10+ | $0.5323 | $ 5.3230 |
| 50+ | $0.4322 | $ 21.6100 |
| 100+ | $0.3720 | $ 37.2000 |
| 500+ | $0.3347 | $ 167.3500 |
| 1000+ | $0.3168 | $ 316.8000 |
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