| メーカー | |
| メーカー部品番号 | VBGL7103 |
| EBEE部品番号 | E821264525 |
| パッケージ | TO-263-7L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 100V 180A 3mΩ@10V 1 N-channel TO-263-7L MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7436 | $ 2.7436 |
| 10+ | $2.3213 | $ 23.2130 |
| 50+ | $2.0577 | $ 102.8850 |
| 100+ | $1.7878 | $ 178.7800 |
| 500+ | $1.6655 | $ 832.7500 |
| 1000+ | $1.6116 | $ 1611.6000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec VBGL7103 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 3mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 21pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 180A | |
| Ciss-Input Capacitance | 8.2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 246pF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7436 | $ 2.7436 |
| 10+ | $2.3213 | $ 23.2130 |
| 50+ | $2.0577 | $ 102.8850 |
| 100+ | $1.7878 | $ 178.7800 |
| 500+ | $1.6655 | $ 832.7500 |
| 1000+ | $1.6116 | $ 1611.6000 |
