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VBsemi Elec VB2610N
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | VB2610N |
| EBEE部品番号 | E87429136 |
| パッケージ | SOT-23(TO-236) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 60V 3.5A 2W 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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260 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2403 | $ 1.2015 |
| 50+ | $0.1900 | $ 9.5000 |
| 150+ | $0.1684 | $ 25.2600 |
| 500+ | $0.1414 | $ 70.7000 |
| 3000+ | $0.1295 | $ 388.5000 |
| 6000+ | $0.1223 | $ 733.8000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec VB2610N | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 70mΩ@10V;85mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 63pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 4.2W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 832pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 88pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
ショッピングガイド
展開
260 Stock for Shipping Fast
260 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2403 | $ 1.2015 |
| 50+ | $0.1900 | $ 9.5000 |
| 150+ | $0.1684 | $ 25.2600 |
| 500+ | $0.1414 | $ 70.7000 |
| 3000+ | $0.1295 | $ 388.5000 |
| 6000+ | $0.1223 | $ 733.8000 |
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