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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | TK7A65D-VB |
| EBEE部品番号 | E819632179 |
| パッケージ | TO-220F |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 10A 830mΩ@10V 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9217 | $ 0.9217 |
| 10+ | $0.7687 | $ 7.6870 |
| 50+ | $0.6854 | $ 34.2700 |
| 100+ | $0.5899 | $ 58.9900 |
| 500+ | $0.5489 | $ 274.4500 |
| 1000+ | $0.5298 | $ 529.8000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec TK7A65D-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 820mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 240pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 178W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 400pF | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9217 | $ 0.9217 |
| 10+ | $0.7687 | $ 7.6870 |
| 50+ | $0.6854 | $ 34.2700 |
| 100+ | $0.5899 | $ 58.9900 |
| 500+ | $0.5489 | $ 274.4500 |
| 1000+ | $0.5298 | $ 529.8000 |
