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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STD90N4F3-VB |
| EBEE部品番号 | E8725209 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 40V 85A 3.13W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6501 | $ 0.6501 |
| 10+ | $0.5341 | $ 5.3410 |
| 30+ | $0.4761 | $ 14.2830 |
| 100+ | $0.4182 | $ 41.8200 |
| 500+ | $0.3327 | $ 166.3500 |
| 1000+ | $0.3144 | $ 314.4000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec STD90N4F3-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 5mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 250pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 312W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 85A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.38nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 550pF | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6501 | $ 0.6501 |
| 10+ | $0.5341 | $ 5.3410 |
| 30+ | $0.4761 | $ 14.2830 |
| 100+ | $0.4182 | $ 41.8200 |
| 500+ | $0.3327 | $ 166.3500 |
| 1000+ | $0.3144 | $ 314.4000 |
