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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STD7NM80T4-VB |
| EBEE部品番号 | E820755037 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 800V 7A 850mΩ@10V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2430 | $ 1.2430 |
| 10+ | $1.0365 | $ 10.3650 |
| 30+ | $0.9231 | $ 27.6930 |
| 100+ | $0.7949 | $ 79.4900 |
| 500+ | $0.7382 | $ 369.1000 |
| 1000+ | $0.7126 | $ 712.6000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec STD7NM80T4-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 850mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 14pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 99W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 373pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 26pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2430 | $ 1.2430 |
| 10+ | $1.0365 | $ 10.3650 |
| 30+ | $0.9231 | $ 27.6930 |
| 100+ | $0.7949 | $ 79.4900 |
| 500+ | $0.7382 | $ 369.1000 |
| 1000+ | $0.7126 | $ 712.6000 |
