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VBsemi Elec STD7NM80-VB
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STD7NM80-VB |
| EBEE部品番号 | E820755598 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 800V 5A 1.2Ω@10V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2641 | $ 1.2641 |
| 10+ | $1.0448 | $ 10.4480 |
| 30+ | $0.9251 | $ 27.7530 |
| 100+ | $0.7901 | $ 79.0100 |
| 500+ | $0.7287 | $ 364.3500 |
| 1000+ | $0.7027 | $ 702.7000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec STD7NM80-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 1.2Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 490pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 800pF | |
| Gate Charge(Qg) | 200nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2641 | $ 1.2641 |
| 10+ | $1.0448 | $ 10.4480 |
| 30+ | $0.9251 | $ 27.7530 |
| 100+ | $0.7901 | $ 79.0100 |
| 500+ | $0.7287 | $ 364.3500 |
| 1000+ | $0.7027 | $ 702.7000 |
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