Recommonended For You
画像は参考のみです
お気に入りに追加
VBsemi Elec STD65N160M9-VB
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STD65N160M9-VB |
| EBEE部品番号 | E822357256 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 20A 160mΩ@10V 4V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>47 在庫あり 即時出荷可能
47 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1330 | $ 2.1330 |
| 10+ | $1.8052 | $ 18.0520 |
| 30+ | $1.5997 | $ 47.9910 |
| 100+ | $1.3898 | $ 138.9800 |
| 500+ | $1.2946 | $ 647.3000 |
| 1000+ | $1.2538 | $ 1253.8000 |
数量が多い場合の最良価格？
$
おすすめ
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec STD65N160M9-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 160mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 12pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 180W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.8nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 51pF | |
| Gate Charge(Qg) | 205nC@10V |
ショッピングガイド
展開
47 Stock for Shipping Fast
47 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1330 | $ 2.1330 |
| 10+ | $1.8052 | $ 18.0520 |
| 30+ | $1.5997 | $ 47.9910 |
| 100+ | $1.3898 | $ 138.9800 |
| 500+ | $1.2946 | $ 647.3000 |
| 1000+ | $1.2538 | $ 1253.8000 |
数量が多い場合の最良価格？
$
