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VBsemi Elec STD5NM50T4-VB
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STD5NM50T4-VB |
| EBEE部品番号 | E87463514 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 6A 83W 2V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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10 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9971 | $ 0.9971 |
| 10+ | $0.8018 | $ 8.0180 |
| 30+ | $0.7050 | $ 21.1500 |
| 100+ | $0.6097 | $ 60.9700 |
| 500+ | $0.5510 | $ 275.5000 |
| 1000+ | $0.5224 | $ 522.4000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec STD5NM50T4-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 700mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 12pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 360pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9971 | $ 0.9971 |
| 10+ | $0.8018 | $ 8.0180 |
| 30+ | $0.7050 | $ 21.1500 |
| 100+ | $0.6097 | $ 60.9700 |
| 500+ | $0.5510 | $ 275.5000 |
| 1000+ | $0.5224 | $ 522.4000 |
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