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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STD2N80K5-VB |
| EBEE部品番号 | E819711288 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 800V 2A 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9947 | $ 0.9947 |
| 10+ | $0.8220 | $ 8.2200 |
| 30+ | $0.7274 | $ 21.8220 |
| 100+ | $0.6208 | $ 62.0800 |
| 500+ | $0.5736 | $ 286.8000 |
| 1000+ | $0.5520 | $ 552.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec STD2N80K5-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 2.38Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 62.5W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 315pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19.6nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9947 | $ 0.9947 |
| 10+ | $0.8220 | $ 8.2200 |
| 30+ | $0.7274 | $ 21.8220 |
| 100+ | $0.6208 | $ 62.0800 |
| 500+ | $0.5736 | $ 286.8000 |
| 1000+ | $0.5520 | $ 552.0000 |
