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VBsemi Elec SPP11N80C3-VB
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SPP11N80C3-VB |
| EBEE部品番号 | E822357303 |
| パッケージ | TO-220AB |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 800V 12A 370mΩ@10V 4.5V 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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8 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2416 | $ 2.2416 |
| 10+ | $1.8975 | $ 18.9750 |
| 50+ | $1.6816 | $ 84.0800 |
| 100+ | $1.4602 | $ 146.0200 |
| 500+ | $1.3603 | $ 680.1500 |
| 1000+ | $1.3172 | $ 1317.2000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec SPP11N80C3-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 370mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 160W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.4nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 89nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2416 | $ 2.2416 |
| 10+ | $1.8975 | $ 18.9750 |
| 50+ | $1.6816 | $ 84.0800 |
| 100+ | $1.4602 | $ 146.0200 |
| 500+ | $1.3603 | $ 680.1500 |
| 1000+ | $1.3172 | $ 1317.2000 |
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