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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SDM9926-VB |
| EBEE部品番号 | E8725152 |
| パッケージ | SO-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 20V 7.1A 1.3W 1.5V@250uA 2 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3032 | $ 1.5160 |
| 50+ | $0.2427 | $ 12.1350 |
| 150+ | $0.2167 | $ 32.5050 |
| 500+ | $0.1844 | $ 92.2000 |
| 2500+ | $0.1699 | $ 424.7500 |
| 4000+ | $0.1612 | $ 644.8000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec SDM9926-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 19mΩ@4.5V;26mΩ@2.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.3W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3032 | $ 1.5160 |
| 50+ | $0.2427 | $ 12.1350 |
| 150+ | $0.2167 | $ 32.5050 |
| 500+ | $0.1844 | $ 92.2000 |
| 2500+ | $0.1699 | $ 424.7500 |
| 4000+ | $0.1612 | $ 644.8000 |
