| メーカー | |
| メーカー部品番号 | P1403EVG-VB |
| EBEE部品番号 | E829779127 |
| パッケージ | SO-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 30V 9A 0.018Ω@10V,7A 2.5W 1V@250uA SOP-8 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3577 | $ 1.7885 |
| 50+ | $0.2809 | $ 14.0450 |
| 150+ | $0.2480 | $ 37.2000 |
| 500+ | $0.2069 | $ 103.4500 |
| 2500+ | $0.1886 | $ 471.5000 |
| 4000+ | $0.1776 | $ 710.4000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec P1403EVG-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 18mΩ@10V;24mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 145pF | |
| Pd - Power Dissipation | 4.2W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V;2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.495nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V;[email protected] |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3577 | $ 1.7885 |
| 50+ | $0.2809 | $ 14.0450 |
| 150+ | $0.2480 | $ 37.2000 |
| 500+ | $0.2069 | $ 103.4500 |
| 2500+ | $0.1886 | $ 471.5000 |
| 4000+ | $0.1776 | $ 710.4000 |
