| メーカー | |
| メーカー部品番号 | P0803BDG-VB |
| EBEE部品番号 | E822389796 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-252 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3843 | $ 0.3843 |
| 10+ | $0.3017 | $ 3.0170 |
| 30+ | $0.2668 | $ 8.0040 |
| 100+ | $0.2223 | $ 22.2300 |
| 500+ | $0.2033 | $ 101.6500 |
| 1000+ | $0.1906 | $ 190.6000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec P0803BDG-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 6mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 270pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.13W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.201nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 525pF | |
| Gate Charge(Qg) | 107nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3843 | $ 0.3843 |
| 10+ | $0.3017 | $ 3.0170 |
| 30+ | $0.2668 | $ 8.0040 |
| 100+ | $0.2223 | $ 22.2300 |
| 500+ | $0.2033 | $ 101.6500 |
| 1000+ | $0.1906 | $ 190.6000 |
