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VBsemi Elec NCE2012-VB
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | NCE2012-VB |
| EBEE部品番号 | E841370180 |
| パッケージ | SO-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 20V 20A 2.5W 0.0049Ω@4.5V,10A 2.1V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6618 | $ 0.6618 |
| 200+ | $0.2651 | $ 53.0200 |
| 500+ | $0.2560 | $ 128.0000 |
| 1000+ | $0.2505 | $ 250.5000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec NCE2012-VB | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 20V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 20A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 0.0049Ω@4.5V,10A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 2.5W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 315pF@10V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 3.7nF@10V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 27.5nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6618 | $ 0.6618 |
| 200+ | $0.2651 | $ 53.0200 |
| 500+ | $0.2560 | $ 128.0000 |
| 1000+ | $0.2505 | $ 250.5000 |
