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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | MTP8P08-VB |
| EBEE部品番号 | E820417619 |
| パッケージ | TO-220AB |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 100V 18A 167mΩ@10V 1 Piece P-Channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5520 | $ 0.5520 |
| 10+ | $0.4481 | $ 4.4810 |
| 50+ | $0.3968 | $ 19.8400 |
| 100+ | $0.3455 | $ 34.5500 |
| 500+ | $0.3145 | $ 157.2500 |
| 1000+ | $0.2996 | $ 299.6000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec MTP8P08-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 167mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 280pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 11.7W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.46nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 330pF | |
| Gate Charge(Qg) | 67nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5520 | $ 0.5520 |
| 10+ | $0.4481 | $ 4.4810 |
| 50+ | $0.3968 | $ 19.8400 |
| 100+ | $0.3455 | $ 34.5500 |
| 500+ | $0.3145 | $ 157.2500 |
| 1000+ | $0.2996 | $ 299.6000 |
