| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IRF9532PBF-VB |
| EBEE部品番号 | E819711296 |
| パッケージ | TO-220AB |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 100V 18A 1 Piece P-Channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6240 | $ 0.6240 |
| 10+ | $0.5018 | $ 5.0180 |
| 50+ | $0.4414 | $ 22.0700 |
| 100+ | $0.3811 | $ 38.1100 |
| 500+ | $0.3462 | $ 173.1000 |
| 1000+ | $0.3271 | $ 327.1000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec IRF9532PBF-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 167mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 280pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.46nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 330pF | |
| Gate Charge(Qg) | 67nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6240 | $ 0.6240 |
| 10+ | $0.5018 | $ 5.0180 |
| 50+ | $0.4414 | $ 22.0700 |
| 100+ | $0.3811 | $ 38.1100 |
| 500+ | $0.3462 | $ 173.1000 |
| 1000+ | $0.3271 | $ 327.1000 |
