| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IRF830STRLPBF-VB |
| EBEE部品番号 | E818794945 |
| パッケージ | TO-263(D2PAK) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 4A 2.2Ω@10V 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6313 | $ 0.6313 |
| 10+ | $0.5124 | $ 5.1240 |
| 50+ | $0.4530 | $ 22.6500 |
| 100+ | $0.3952 | $ 39.5200 |
| 500+ | $0.3599 | $ 179.9500 |
| 1000+ | $0.3422 | $ 342.2000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec IRF830STRLPBF-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 2.1Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.417nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 177pF | |
| Gate Charge(Qg) | 48nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6313 | $ 0.6313 |
| 10+ | $0.5124 | $ 5.1240 |
| 50+ | $0.4530 | $ 22.6500 |
| 100+ | $0.3952 | $ 39.5200 |
| 500+ | $0.3599 | $ 179.9500 |
| 1000+ | $0.3422 | $ 342.2000 |
