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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IRF640PBF-VB |
| EBEE部品番号 | E85878802 |
| パッケージ | TO-220AB |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 200V 30A 126W 1V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8356 | $ 0.8356 |
| 10+ | $0.6786 | $ 6.7860 |
| 50+ | $0.6008 | $ 30.0400 |
| 100+ | $0.5229 | $ 52.2900 |
| 500+ | $0.4765 | $ 238.2500 |
| 1000+ | $0.4533 | $ 453.3000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec IRF640PBF-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 110mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 80pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.8nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Gate Charge(Qg) | 34nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8356 | $ 0.8356 |
| 10+ | $0.6786 | $ 6.7860 |
| 50+ | $0.6008 | $ 30.0400 |
| 100+ | $0.5229 | $ 52.2900 |
| 500+ | $0.4765 | $ 238.2500 |
| 1000+ | $0.4533 | $ 453.3000 |
