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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IRF5802TRPBF-VB |
| EBEE部品番号 | E86705267 |
| パッケージ | TSOP-6 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 100V 3.2A 1.3W 2.5V@250uA 1 N-channel TSOP-6 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1398 | $ 0.6990 |
| 50+ | $0.1217 | $ 6.0850 |
| 150+ | $0.1140 | $ 17.1000 |
| 500+ | $0.1044 | $ 52.2000 |
| 3000+ | $0.1000 | $ 300.0000 |
| 6000+ | $0.0975 | $ 585.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec IRF5802TRPBF-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 95mΩ@10V;105mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 42pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 424pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 100pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.2nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1398 | $ 0.6990 |
| 50+ | $0.1217 | $ 6.0850 |
| 150+ | $0.1140 | $ 17.1000 |
| 500+ | $0.1044 | $ 52.2000 |
| 3000+ | $0.1000 | $ 300.0000 |
| 6000+ | $0.0975 | $ 585.0000 |
