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VBsemi Elec HY1908D-VB
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HY1908D-VB |
| EBEE部品番号 | E819632121 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 80V 75A 5mΩ@10V 1 N-channel TO-252-2L MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9164 | $ 0.9164 |
| 10+ | $0.7450 | $ 7.4500 |
| 30+ | $0.6586 | $ 19.7580 |
| 100+ | $0.5736 | $ 57.3600 |
| 500+ | $0.5223 | $ 261.1500 |
| 1000+ | $0.4967 | $ 496.7000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec HY1908D-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 8.7mΩ@5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 76pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 62.5W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.855nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 950pF | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@6V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9164 | $ 0.9164 |
| 10+ | $0.7450 | $ 7.4500 |
| 30+ | $0.6586 | $ 19.7580 |
| 100+ | $0.5736 | $ 57.3600 |
| 500+ | $0.5223 | $ 261.1500 |
| 1000+ | $0.4967 | $ 496.7000 |
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