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VBsemi Elec E10P02-VB
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | E10P02-VB |
| EBEE部品番号 | E8725016 |
| パッケージ | SO-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 20V 13A 1.9W 500mV@250uA 1 Piece P-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3158 | $ 1.5790 |
| 50+ | $0.2499 | $ 12.4950 |
| 150+ | $0.2217 | $ 33.2550 |
| 500+ | $0.1865 | $ 93.2500 |
| 2500+ | $0.1708 | $ 427.0000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec E10P02-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 15mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 19W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@8V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3158 | $ 1.5790 |
| 50+ | $0.2499 | $ 12.4950 |
| 150+ | $0.2217 | $ 33.2550 |
| 500+ | $0.1865 | $ 93.2500 |
| 2500+ | $0.1708 | $ 427.0000 |
| 4000+ | $0.1613 | $ 645.2000 |
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