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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CED4301-VB |
| EBEE部品番号 | E819711199 |
| パッケージ | TO-251 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 40V 55A 1 Piece P-Channel TO-251 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4859 | $ 0.4859 |
| 10+ | $0.3914 | $ 3.9140 |
| 30+ | $0.3442 | $ 10.3260 |
| 80+ | $0.2969 | $ 23.7520 |
| 480+ | $0.2686 | $ 128.9280 |
| 960+ | $0.2537 | $ 243.5520 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec CED4301-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 14mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 315pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 620pF | |
| Gate Charge(Qg) | 160nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4859 | $ 0.4859 |
| 10+ | $0.3914 | $ 3.9140 |
| 30+ | $0.3442 | $ 10.3260 |
| 80+ | $0.2969 | $ 23.7520 |
| 480+ | $0.2686 | $ 128.9280 |
| 960+ | $0.2537 | $ 243.5520 |
