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VBsemi Elec BSP122-VB
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | BSP122-VB |
| EBEE部品番号 | E8724994 |
| パッケージ | SOT-223 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 200V 800mA 3.1W 2V@250uA 1 N-channel SOT-223-4 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3779 | $ 0.3779 |
| 10+ | $0.2996 | $ 2.9960 |
| 30+ | $0.2645 | $ 7.9350 |
| 100+ | $0.2227 | $ 22.2700 |
| 500+ | $0.2038 | $ 101.9000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec BSP122-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 1.2Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.1W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 800mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 140pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 53pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.2nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3779 | $ 0.3779 |
| 10+ | $0.2996 | $ 2.9960 |
| 30+ | $0.2645 | $ 7.9350 |
| 100+ | $0.2227 | $ 22.2700 |
| 500+ | $0.2038 | $ 101.9000 |
| 1000+ | $0.1930 | $ 193.0000 |
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