| メーカー | |
| メーカー部品番号 | BSP110-VB |
| EBEE部品番号 | E8724993 |
| パッケージ | SOT-223 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 100V 5A 3.3W 3V@250uA 1 N-channel SOT-223-3 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4716 | $ 0.4716 |
| 10+ | $0.3779 | $ 3.7790 |
| 30+ | $0.3366 | $ 10.0980 |
| 100+ | $0.2858 | $ 28.5800 |
| 500+ | $0.2319 | $ 115.9500 |
| 1000+ | $0.2192 | $ 219.2000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec BSP110-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 110mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 5.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.3W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 27nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4716 | $ 0.4716 |
| 10+ | $0.3779 | $ 3.7790 |
| 30+ | $0.3366 | $ 10.0980 |
| 100+ | $0.2858 | $ 28.5800 |
| 500+ | $0.2319 | $ 115.9500 |
| 1000+ | $0.2192 | $ 219.2000 |
