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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | AOD421-VB |
| EBEE部品番号 | E819632213 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 30V 38A 33mΩ@10V 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3401 | $ 0.3401 |
| 10+ | $0.2700 | $ 2.7000 |
| 30+ | $0.2403 | $ 7.2090 |
| 100+ | $0.2025 | $ 20.2500 |
| 500+ | $0.1863 | $ 93.1500 |
| 1000+ | $0.1755 | $ 175.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec AOD421-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 33mΩ@10V;46mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 190pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V;2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 255pF | |
| Gate Charge(Qg) | 27nC@10V;[email protected] |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3401 | $ 0.3401 |
| 10+ | $0.2700 | $ 2.7000 |
| 30+ | $0.2403 | $ 7.2090 |
| 100+ | $0.2025 | $ 20.2500 |
| 500+ | $0.1863 | $ 93.1500 |
| 1000+ | $0.1755 | $ 175.5000 |
