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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 5LN01C-TB-E-VB |
| EBEE部品番号 | E820755117 |
| パッケージ | SOT-23(TO-236) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 60V 250mA 2.8Ω@10V 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0482 | $ 0.4820 |
| 100+ | $0.0384 | $ 3.8400 |
| 300+ | $0.0336 | $ 10.0800 |
| 3000+ | $0.0299 | $ 89.7000 |
| 6000+ | $0.0270 | $ 162.0000 |
| 9000+ | $0.0256 | $ 230.4000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec 5LN01C-TB-E-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 2.8Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 250mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 25pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 5pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0482 | $ 0.4820 |
| 100+ | $0.0384 | $ 3.8400 |
| 300+ | $0.0336 | $ 10.0800 |
| 3000+ | $0.0299 | $ 89.7000 |
| 6000+ | $0.0270 | $ 162.0000 |
| 9000+ | $0.0256 | $ 230.4000 |
