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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 2SJ601-VB |
| EBEE部品番号 | E819711217 |
| パッケージ | TO-251 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 60V 45A 1 Piece P-Channel TO-251 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3066 | $ 1.3066 |
| 10+ | $1.0910 | $ 10.9100 |
| 30+ | $0.9721 | $ 29.1630 |
| 80+ | $0.8370 | $ 66.9600 |
| 480+ | $0.7769 | $ 372.9120 |
| 960+ | $0.7496 | $ 719.6160 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec 2SJ601-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 13.5mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 330pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.73nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 485pF | |
| Gate Charge(Qg) | 98nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3066 | $ 1.3066 |
| 10+ | $1.0910 | $ 10.9100 |
| 30+ | $0.9721 | $ 29.1630 |
| 80+ | $0.8370 | $ 66.9600 |
| 480+ | $0.7769 | $ 372.9120 |
| 960+ | $0.7496 | $ 719.6160 |
