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VBsemi Elec 2SJ527STR-E-VB
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 2SJ527STR-E-VB |
| EBEE部品番号 | E819632076 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 60V 30A 61mΩ@10V 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5107 | $ 0.5107 |
| 10+ | $0.4151 | $ 4.1510 |
| 30+ | $0.3673 | $ 11.0190 |
| 100+ | $0.3209 | $ 32.0900 |
| 500+ | $0.2922 | $ 146.1000 |
| 1000+ | $0.2772 | $ 277.2000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec 2SJ527STR-E-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 72mΩ@4.5V;61mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 100pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 4W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5107 | $ 0.5107 |
| 10+ | $0.4151 | $ 4.1510 |
| 30+ | $0.3673 | $ 11.0190 |
| 100+ | $0.3209 | $ 32.0900 |
| 500+ | $0.2922 | $ 146.1000 |
| 1000+ | $0.2772 | $ 277.2000 |
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