| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 1N65G |
| EBEE部品番号 | E8404319 |
| パッケージ | SOT-223 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 1A 140W 8.5Ω@10V,0.5A 4V@250uA 1 N-Channel SOT-223-4 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0868 | $ 0.4340 |
| 50+ | $0.0683 | $ 3.4150 |
| 150+ | $0.0591 | $ 8.8650 |
| 500+ | $0.0521 | $ 26.0500 |
| 2500+ | $0.0419 | $ 104.7500 |
| 5000+ | $0.0391 | $ 195.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) 1N65G | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 11Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 5.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 150pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 4.8nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0868 | $ 0.4340 |
| 50+ | $0.0683 | $ 3.4150 |
| 150+ | $0.0591 | $ 8.8650 |
| 500+ | $0.0521 | $ 26.0500 |
| 2500+ | $0.0419 | $ 104.7500 |
| 5000+ | $0.0391 | $ 195.5000 |
