| メーカー | |
| メーカー部品番号 | P1006BD |
| EBEE部品番号 | E83034551 |
| パッケージ | TO-252-2 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 60V 66A 96W 10mΩ@10V,20A 1.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4155 | $ 0.4155 |
| 10+ | $0.3197 | $ 3.1970 |
| 30+ | $0.2800 | $ 8.4000 |
| 100+ | $0.2276 | $ 22.7600 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | U-NIKC P1006BD | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 60V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 66A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 10mΩ@10V,20A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 96W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 140pF@25V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1.92nF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 42nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4155 | $ 0.4155 |
| 10+ | $0.3197 | $ 3.1970 |
| 30+ | $0.2800 | $ 8.4000 |
| 100+ | $0.2276 | $ 22.7600 |
