| メーカー | |
| メーカー部品番号 | TSK82N25M |
| EBEE部品番号 | E8718686 |
| パッケージ | TO-247 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 250V 82A 35mΩ@10V,40A 550W 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6036 | $ 4.6036 |
| 10+ | $4.1635 | $ 41.6350 |
| 30+ | $2.4528 | $ 73.5840 |
| 90+ | $2.1878 | $ 196.9020 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | Truesemi TSK82N25M | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 35mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 67pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 550W | |
| Drain to Source Voltage | 250V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 82A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.904nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 783pF | |
| Gate Charge(Qg) | 123nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6036 | $ 4.6036 |
| 10+ | $4.1635 | $ 41.6350 |
| 30+ | $2.4528 | $ 73.5840 |
| 90+ | $2.1878 | $ 196.9020 |
