| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CSD19534Q5A |
| EBEE部品番号 | E8114200 |
| パッケージ | SON-8(5x6) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 100V 50A 12.6mΩ@10V,10A 63W 2.8V@250uA 1 N-channel PDFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8963 | $ 0.8963 |
| 10+ | $0.7486 | $ 7.4860 |
| 30+ | $0.6731 | $ 20.1930 |
| 100+ | $0.5992 | $ 59.9200 |
| 500+ | $0.5124 | $ 256.2000 |
| 1000+ | $0.4900 | $ 490.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Texas Instruments CSD19534Q5A | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 17.6mΩ@6V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 5.7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 63W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.68nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 330pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8963 | $ 0.8963 |
| 10+ | $0.7486 | $ 7.4860 |
| 30+ | $0.6731 | $ 20.1930 |
| 100+ | $0.5992 | $ 59.9200 |
| 500+ | $0.5124 | $ 256.2000 |
| 1000+ | $0.4900 | $ 490.0000 |
