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TECH PUBLIC TPM2008EP3-A
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | TPM2008EP3-A |
| EBEE部品番号 | E82827633 |
| パッケージ | DFN1006-3L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 20V 700mA 130mΩ@4.5V,650mA 100mW 750mV@250uA 1 N-Channel DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0346 | $ 0.6920 |
| 200+ | $0.0276 | $ 5.5200 |
| 600+ | $0.0238 | $ 14.2800 |
| 2000+ | $0.0215 | $ 43.0000 |
| 10000+ | $0.0174 | $ 174.0000 |
| 20000+ | $0.0163 | $ 326.0000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | TECH PUBLIC TPM2008EP3-A | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 370mΩ@25V | |
| 動作温度 - | - | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 100mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 700mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 120pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
ショッピングガイド
展開
30160 Stock for Shipping Fast
30160 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0346 | $ 0.6920 |
| 200+ | $0.0276 | $ 5.5200 |
| 600+ | $0.0238 | $ 14.2800 |
| 2000+ | $0.0215 | $ 43.0000 |
| 10000+ | $0.0174 | $ 174.0000 |
| 20000+ | $0.0163 | $ 326.0000 |
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