| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STD5N20LT4-TP |
| EBEE部品番号 | E87603329 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 200V 5.5A 30W 580mΩ@10V,1A 1.7V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3546 | $ 1.7730 |
| 50+ | $0.2792 | $ 13.9600 |
| 150+ | $0.2460 | $ 36.9000 |
| 500+ | $0.2052 | $ 102.6000 |
| 2500+ | $0.1871 | $ 467.7500 |
| 5000+ | $0.1766 | $ 883.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | TECH PUBLIC STD5N20LT4-TP | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 580mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 30W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 580pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 90pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@100V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3546 | $ 1.7730 |
| 50+ | $0.2792 | $ 13.9600 |
| 150+ | $0.2460 | $ 36.9000 |
| 500+ | $0.2052 | $ 102.6000 |
| 2500+ | $0.1871 | $ 467.7500 |
| 5000+ | $0.1766 | $ 883.0000 |
