Recommonended For You
- ホーム /
- 商品 /
- 炭化ケイ素(SiC)デバイス /
- SiCダイオード /
- SUPSiC GC4D20120H
画像は参考のみです
お気に入りに追加
SUPSiC GC4D20120H
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | GC4D20120H |
| EBEE部品番号 | E87435089 |
| パッケージ | TO-247-2 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 1.2kV 1.5V 54A TO-247-2 SiC Diodes ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>166 在庫あり 即時出荷可能
166 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7203 | $ 2.7203 |
| 10+ | $2.3389 | $ 23.3890 |
| 30+ | $1.7835 | $ 53.5050 |
| 90+ | $1.5382 | $ 138.4380 |
| 600+ | $1.4290 | $ 857.4000 |
| 900+ | $1.3800 | $ 1242.0000 |
数量が多い場合の最良価格？
$
おすすめ
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,SiCダイオード | |
| データシート | SUPSiC GC4D20120H | |
| RoHS | ||
| 逆の漏出流れ(Ir) | 200uA@1200V | |
| 電圧 - DC 逆(Vr)(最大) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V | |
| Current - Rectified | 54A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 130A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
ショッピングガイド
展開
166 Stock for Shipping Fast
166 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7203 | $ 2.7203 |
| 10+ | $2.3389 | $ 23.3890 |
| 30+ | $1.7835 | $ 53.5050 |
| 90+ | $1.5382 | $ 138.4380 |
| 600+ | $1.4290 | $ 857.4000 |
| 900+ | $1.3800 | $ 1242.0000 |
数量が多い場合の最良価格？
$
