| メーカー | |
| メーカー部品番号 | GC4D20120A |
| EBEE部品番号 | E87435079 |
| パッケージ | TO-220-2 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 1.2kV 1.5V 54.5A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6229 | $ 2.6229 |
| 10+ | $2.2879 | $ 22.8790 |
| 50+ | $1.9450 | $ 97.2500 |
| 100+ | $1.7306 | $ 173.0600 |
| 500+ | $1.6338 | $ 816.9000 |
| 1000+ | $1.5909 | $ 1590.9000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,SiCダイオード | |
| データシート | SUPSiC GC4D20120A | |
| RoHS | ||
| 逆の漏出流れ(Ir) | 200uA@1200V | |
| 電圧 - DC 逆(Vr)(最大) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V | |
| Current - Rectified | 54.5A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 130A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6229 | $ 2.6229 |
| 10+ | $2.2879 | $ 22.8790 |
| 50+ | $1.9450 | $ 97.2500 |
| 100+ | $1.7306 | $ 173.0600 |
| 500+ | $1.6338 | $ 816.9000 |
| 1000+ | $1.5909 | $ 1590.9000 |
