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STMicroelectronics STW56N65M2
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STW56N65M2 |
| EBEE部品番号 | E85268706 |
| パッケージ | TO-247 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 49A 358W 0.062Ω@10V,24.5A 4V@250uA TO-247 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STW56N65M2 | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 62mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 2.8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 358W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 49A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.9nF | |
| Gate Charge(Qg) | 93nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
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