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STMicroelectronics STW18N60DM2
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STW18N60DM2 |
| EBEE部品番号 | E85268679 |
| パッケージ | TO-247 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 600V 12A 295mΩ 90W 3V@250uA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2622 | $ 4.2622 |
| 210+ | $1.6501 | $ 346.5210 |
| 510+ | $1.5917 | $ 811.7670 |
| 990+ | $1.5625 | $ 1546.8750 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STW18N60DM2 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 設定 | - | |
| 排水源電圧(Vdss) | 600V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 12A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 295mΩ | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 90W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 1.33pF@100V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 800pF@100V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 20nC@480V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2622 | $ 4.2622 |
| 210+ | $1.6501 | $ 346.5210 |
| 510+ | $1.5917 | $ 811.7670 |
| 990+ | $1.5625 | $ 1546.8750 |
