| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STPSC8H065DLF |
| EBEE部品番号 | E85271107 |
| パッケージ | Power-FLAT8x8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | Power-FLAT8x8 SiC Diodes ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4384 | $ 3.4384 |
| 10+ | $3.3571 | $ 33.5710 |
| 30+ | $3.3019 | $ 99.0570 |
| 100+ | $3.2482 | $ 324.8200 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,SiCダイオード | |
| データシート | STMicroelectronics STPSC8H065DLF | |
| RoHS | ||
| 逆の漏出流れ(Ir) | 80uA@650V | |
| 電圧 - DC 逆(Vr)(最大) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.55V@8A | |
| Current - Rectified | 8A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 75A | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+175℃ |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4384 | $ 3.4384 |
| 10+ | $3.3571 | $ 33.5710 |
| 30+ | $3.3019 | $ 99.0570 |
| 100+ | $3.2482 | $ 324.8200 |
