| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STPSC10H065DLF |
| EBEE部品番号 | E85271106 |
| パッケージ | Power-FLAT(8x8) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | Power-FLAT(8x8) SiC Diodes ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.7481 | $ 6.7481 |
| 10+ | $5.5667 | $ 55.6670 |
| 30+ | $4.9946 | $ 149.8380 |
| 100+ | $4.5152 | $ 451.5200 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,SiCダイオード | |
| データシート | STMicroelectronics STPSC10H065DLF | |
| RoHS | ||
| 逆の漏出流れ(Ir) | 100uA@650V | |
| 電圧 - DC 逆(Vr)(最大) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.55V@10A | |
| Current - Rectified | 10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 850A | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+175℃ |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.7481 | $ 6.7481 |
| 10+ | $5.5667 | $ 55.6670 |
| 30+ | $4.9946 | $ 149.8380 |
| 100+ | $4.5152 | $ 451.5200 |
